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    GaN快充|ZVS反激電源控制芯片RM6801SN

    來源:亞成微電子 發布時間:2020-08-26 閱讀次數:

        近年來,手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便,隨著快充技術的迅速發展,更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求,而對于各大充電器廠商來說,大功率、高效率、小體積、安全穩定的高功率密度快充方案將成為這場戰役中的制勝關鍵。在傳統以及準諧振反激形式應用中,由于MOS導通時的電壓較高(基本都在150V以上),特別是高壓的輸入條件下,會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾,影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現,很好的解決了這些痛點。為了適應快充市場發展新需求,亞成微通過不斷研究改進,成功推出了ZVS反激式架構的開關電源控制芯片RM6801X...

     

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    強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801X

     

    高效率、大功率

    ■專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗,改善EMI特性;

    ■支持CCM/QR混合模式;

    ■支持最大140KHz工作頻率;

    ■兼顧E-Mode GaN FET及超結MOSFET(COOLMOS)驅動設計,可直接驅動E-Mode GaN功率器件,省去外置驅動器件。

     

    超低待機功耗

    ■ 內置700V高壓啟動;

    ■ 集成X-CAP放電功能;

    ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

    ■ 待機功耗<65mW。

     

    優異的性能

    ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

    ■ Burst Mode去噪音;

    ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

    ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

    ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

    ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


    原理圖
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    產品DEMO(
    尺寸:55mm×30mm×25mm


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    能效測試

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    待機功耗

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    ZVS高低壓補償及實測波形

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    產品系列


     

    型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
    RM6801S SSR+ZVS 100W SSOP-10 外置MOS
    RM6801SN SSR+ZVS 100W SSOP-10 外置GaN

     

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